Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Mitsugi, Noritomo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A new technique for calculation of correct carrier recombination lifetime in intrinsic layer of silicon PiN diode on the basis of the Open Circuit Voltage Decay method was invented. The new technique can remove the effects of carrier diffusion into p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9b83dad722a08a542a123bcc6f7fa31c
https://kyutech.repo.nii.ac.jp/records/7834
https://kyutech.repo.nii.ac.jp/records/7834
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.