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pro vyhledávání: '"Mise en série"'
Autor:
St.Onge, Ruth-Ellen
Les travaux de Franco Moretti, historien de la littérature, ouvrent de nouvelles perspectives qui touchent à un éventail de disciplines : l’histoire littéraire, mais aussi la sociologie de la littérature et l’histoire du livre. Distant Readi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=openedition_::a33462bb5a18608281070bd43dee55bc
http://journals.openedition.org/contextes/5870
http://journals.openedition.org/contextes/5870
Autor:
Dozo, Björn-Olav
Ce petit livre de Franco Moretti, traduit dans l’excellente collection « Penser/croiser » des Prairies ordinaires, intéresse à plus d’un titre la sociologie de la littérature. Il propose des formes de modélisation de faits littéraires («
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=openedition_::3bf5bf01769891058878c0901de49d36
http://journals.openedition.org/contextes/4566
http://journals.openedition.org/contextes/4566
Autor:
Ruth-Ellen St.Onge
Publikováno v:
Contextes (2014)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ad6fe653a910431f8675525a5aa0ea7c
Autor:
Chatroux, Daniel, Chauvin, Julien
Publikováno v:
SGE 2020-Symposium de Génie Electrique
SGE 2020-Symposium de Génie Electrique, Jul 2021, Nantes, France. 2021
SGE 2020-Symposium de Génie Electrique, Jul 2021, Nantes, France. 2021
Le comité de pilotage du symposium SGE (..) a pris la décision de reporter le symposium à Juillet prochain ( du 6 - au 8 Juillet 2021 à la Cité des Congrès à Nantes) au vue de l'évolution actuelle de la pandémie.; International audience; Le
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e7af1e7a4143c23ef5c7df6fe901dad1
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03344265
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03344265
Publikováno v:
Electric power. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. English. ⟨NNT : 2020GRALT050⟩
This work investigates new gate drive power supply configurations and a novel multi-steppackaging concept in order to improve the performance of series-connected SiC-MOSFETs. The new gate drive configurations are proposed in order to reduce noise cur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::34985fbc46c655f09bf70616dcafc48d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03139963/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03139963/document
Autor:
Björn-Olav Dozo
Publikováno v:
Contextes (2009)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b779e8fd47e34f77803a3c120079ea8b
Publikováno v:
Electric power. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. English. ⟨NNT : 2020GRALT050⟩
This work investigates new gate drive power supply configurations and a novel multi-steppackaging concept in order to improve the performance of series-connected SiC-MOSFETs. The new gate drive configurations are proposed in order to reduce noise cur
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::34985fbc46c655f09bf70616dcafc48d
https://theses.hal.science/tel-03139963
https://theses.hal.science/tel-03139963
Autor:
Senséby, Chantal
Publikováno v:
Diversité des cartulaires-rouleaux : approches matérielle et diplomatique d’un genre documentaire
Diversité des cartulaires-rouleaux : approches matérielle et diplomatique d’un genre documentaire, Jean-Baptiste Renault, Nov 2019, Angers, France
Diversité des cartulaires-rouleaux : approches matérielle et diplomatique d’un genre documentaire, Jean-Baptiste Renault, Nov 2019, Angers, France
International audience
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e64f3bcadbddc94933c8e2ebbf92846a
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03478091
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03478091
Autor:
Guennegues, Virginie
Cette thèse traite des convertisseurs multiniveaux destinés aux applications moteurs rapides, utilisés notamment dans le domaine de l'Oil \& Gas. L'objectif est l'étude d'une structure qui permette de réduire les pertes par commutation, en compa
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http://www.theses.fr/2009INPL094N/document
Autor:
Alkayal, Fisal
Un nouveau circuit de protection contre les surtensions a été développé. Dans ce circuit de protection, la partiedissipative est monolithiquement intégrée dans la même puce du transistor à protéger avec aucune modificationtechnologique addit
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00165398
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/16/53/98/PDF/These_Alkayal_2005.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/16/53/98/PDF/These_Alkayal_2005.pdf