Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Mirabedini, M.R."'
The effects of Ge content in poly-Si 1− xGe x gate material on the tunneling barrier in PMOS devices
Autor:
Shanware, A, Massoud, H.Z, Acker, A, Li, V.Z.-Q, Mirabedini, M.R, Henson, K, Hauser, J.R, Wortman, J.J
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1999 48(1):39-42
Autor:
Li, V.Z-Q, Mirabedini, M.R., Hornung, B.E., Heinisch, H.H., Xu, M., Batchelor, D., Maher, D.M., Wortman, J.J., Kuehn, R.T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/1998, Vol. 83 Issue 10, p5469, 8p, 14 Black and White Photographs, 3 Diagrams, 5 Graphs
Autor:
Poivey, C., Hak Kim, Berg, M.D., Forney, J., Seidleck, C., Vilchis, M.A., Phan, A., Irwin, T., LaBel, K.A., Saigusa, R.K., Mirabedini, M.R., Finlinson, R., Suvkhanov, A., Hornback, V., Jun Song, Tung, J.
Publikováno v:
2006 IEEE Radiation Effects Data Workshop; 2006, p150-153, 4p
Autor:
Mirabedini, M.R., Gopinath, V.P., Kamath, A., Lee, M.Y., Hsia, W.J., Hornback, V., Le, Y., Badowski, A., Baylis, B., Li, E., Prasad, S., Kobozeva, O., Haywood, J., Catabay, W., Yeh, W.C.
Publikováno v:
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual; 2003, p112-115, 4p
Publikováno v:
32nd European Solid-State Device Research Conference; 2002, p131-134, 4p
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting IEDM Technical Digest; 1997, p833-836, 4p
Autor:
Gopinath, V.P., Hornback, V., Le, Y., Kamath, A., Duong, L., Lin, J., Mirabedini, M.R., Yeh, W.C.
Publikováno v:
Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator (IEEE Cat. No.03EX765); 2003, p50-52, 3p
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; May2003, Vol. 24 Issue 5, p301, 3p, 1 Chart, 4 Graphs
Rapid thermal chemical vapor deposition of in situ boron-doped polycrystalline silicon-germanium....
Autor:
Li, V.Z-Q, Mirabedini, M.R.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 12/8/1997, Vol. 71 Issue 23, p3388, 3p, 3 Black and White Photographs, 5 Graphs
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.