Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Minority Carrier Lifetime (MCLT)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 49, Iss 1, Pp 209-215 (2017)
Fast neutron irradiation was used to improve the switching speed of a 600-V nonpunch-through insulated gate bipolar transistor. Fast neutron irradiation was carried out at 30-MeV energy in doses of 1 × 108 n/cm2, 1 × 109 n/cm2, 1 × 1010 n/cm2, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9275e3e248024253b4e14cd237b84113
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 49, Iss 1, Pp 209-215 (2017)
Fast neutron irradiation was used to improve the switching speed of a 600-V nonpunch-through insulated gate bipolar transistor. Fast neutron irradiation was carried out at 30-MeV energy in doses of 1 × 10 8 n/cm 2 , 1 × 10 9 n/cm 2 , 1 × 10 10 n/c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::384ed69c99379f8c1f9221803af13130
https://doi.org/10.1016/j.net.2016.08.016
https://doi.org/10.1016/j.net.2016.08.016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.