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pro vyhledávání: '"Miniaturisation de composants"'
Autor:
Grandfond, Antonin
Les progrès rapides de la microélectronique sont liées à la miniaturisation du transistor MOS. Pour limiter les courants de fuite, SiO2 a déjà été remplacé par HfO2.mais de nouveaux diélectriques de grande constante diélectrique (high-k) d
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014ISAL0133/document
