Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Milosavljevic, Ivan"'
Autor:
Mei, Antonio B., Milosavljevic, Ivan, Simpson, Amanda L., Smetanka, Valerie A., Feeney, Colin P., Seguin, Shay M., Ha, Sieu D., Ha, Wonill, Reed, Matthew D.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 118, 204001 (2021)
Precise nanofabrication represents a critical challenge to developing semiconductor quantum-dot qubits for practical quantum computation. Here, we design and train a convolutional neural network to interpret in-line scanning electron micrographs and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.08653
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Florida Entomologist, 2020 Mar 01. 103(1), 23-31.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/48610625
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Borselli, Matthew G., Eng, Kevin, Ross, Richard S., Hazard, Thomas M., Holabird, Kevin S., Huang, Biqin, Kiselev, Andrey A., Deelman, Peter W., Warren, Leslie D., Milosavljevic, Ivan, Schmitz, Adele E., Sokolich, Marko, Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
We report on a quantum dot device design that combines the low disorder properties of undoped SiGe heterostructure materials with an overlapping gate stack in which each electrostatic gate has a dominant and unique function -- control of individual q
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.0600
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Borselli, Matthew G., Ross, Richard S., Kiselev, Andrey A., Croke, Edward T., Holabird, Kevin S., Deelman, Peter W., Warren, Leslie D., Alvarado-Rodriguez, Ivan, Milosavljevic, Ivan, Ku, Fiona C., Wong, Wah S., Schmitz, Adele E., Sokolich, Marko, Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 98, 123118 (2011)
We have demonstrated few-electron quantum dots in Si/SiGe and InGaAs, with occupation number controllable from N = 0. These display a high degree of spatial symmetry and identifiable shell structure. Magnetospectroscopy measurements show that two Si-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.1363
Autor:
Hayes, Robert R., Kiselev, Andrey A., Borselli, Matthew G., Bui, Steven S., Croke III, Edward T., Deelman, Peter W., Maune, Brett M., Milosavljevic, Ivan, Moon, Jeong-Sun, Ross, Richard S., Schmitz, Adele E., Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
We have observed the Zeeman-split excited state of a spin-1/2 multi-electron Si/SiGe depletion quantum dot and measured its spin relaxation time T1 in magnetic fields up to 2 T. Using a new step-and-reach technique, we have experimentally verified th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0173
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.