Zobrazeno 1 - 10
of 243
pro vyhledávání: '"Millar, R.W."'
Autor:
Millar, R.W., Gallacher, K., Samarelli, A., Frigerio, J., Chrastina, D., Dieing, T., Isella, G., Paul, D.J.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 March 2016 602:60-63
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sinclair, M., Gallacher, K., Millar, R.W., Bayley, J.C., Sharp, O., Mirando, F., Ternent, G., Mills, G., Casey, B., Hild, S., Paul, D.J.
High-Q microring resonators have applications in gyroscopes, frequency comb generation, and feedback systems to control narrow linewidth integrated lasers [1–3]. This paper demonstrates the highest Q values measured for microring resonators at 780
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::c60a05d36e0a950c63309858a8bf644b
https://eprints.gla.ac.uk/205454/1/205454.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/205454/1/205454.pdf
Autor:
Gallacher, K., Sinclair, M., Millar, R.W., Sharp, O., Mirando, F., Ternent, G., Mills, G., Casey, B., Paul, D.J.
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics.
780 nm wavelength distributed feedback lasers have been integrated onto a Si3N4 photonic platform on a Si substrate and coupled into waveguides for laser locking to either a ring resonator or rubidium vacuum cell.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4cf6091145ffc8f0f669fb0ebf099e55
https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.stu4o.7
https://doi.org/10.1364/cleo_si.2019.stu4o.7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Compressively strained GeSn alloys grown on Ge buffers on Si (001) substrates were fabricated into microdisks and strained using silicon nitride stressors. The strained disks are measured to be tensile by Raman spectroscopy, and demonstrate direct ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::5e4a0ac0d95fbce94f1526f8b5b3067d
https://eprints.gla.ac.uk/156833/1/156833.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/156833/1/156833.pdf
Autor:
Millar, R.W., Dumas, D.C.S., Gallacher, K.F., Jahandar, P., MacGregor, C., Myronov, M., Paul, D.J.
GeSn alloys with Sn contents of 8.4 % and 10.7 % are grown pseudomorphically on Ge buffers on Si (001) substrates. The alloys as-grown are compressively strained, and therefore indirect bandgap. Undercut GeSn on Ge microdisk structures are fabricated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bb23bd9a82ec938b54025647ad923329
http://wrap.warwick.ac.uk/93169/1/WRAP-mid-infrared-light-emission-wavelength-tensile-microdisks-Myronov-2017.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/93169/1/WRAP-mid-infrared-light-emission-wavelength-tensile-microdisks-Myronov-2017.pdf
Autor:
PEZZOLI, FABIO, GIORGIONI, ANNA, GATTI, ELEONORA, GRILLI, EMANUELE ENRICO, MIGLIO, LEONIDA, Gallacher, K, Isa, F, Biagioni, P, Millar, R.W., Isella, G, Paul, DJ
Silicon offers a compelling platform for developing hybrid architectures that exploit novel functionalities. Heteroepitaxial growth of Ge on Si is a prominent approach to tailor material properties to achieve this goal. However, designing Ge-based he
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1299::e43c7fe2eb1e14faee6bd7f1382fb5ec
http://hdl.handle.net/10281/128891
http://hdl.handle.net/10281/128891
Autor:
Su, Kunlong1,2,3 (AUTHOR), Wu, Zhenying1,2,3,4 (AUTHOR), Liu, Yuchen1,2,3 (AUTHOR), Wang, Yan1,4 (AUTHOR), Wang, Han1,4 (AUTHOR), Liu, Meifeng1,2,3 (AUTHOR), Wang, Yu1 (AUTHOR), Wang, Honglun5 (AUTHOR), Fu, Chunxiang1,2,3,4,5 (AUTHOR) fucx@qibebt.ac.cn
Publikováno v:
Plant Biotechnology Journal. Sep2024, Vol. 22 Issue 9, p2530-2540. 11p.