Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Milakhin, D. S."'
1
Akademický článek
Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors.
Autor: Malin, T. V.1 (AUTHOR) mal-tv@isp.nsc.ru, Milakhin, D. S.1 (AUTHOR), Aleksandrov, I. A.1 (AUTHOR), Zemlyakov, V. E.2 (AUTHOR), Egorkin, V. I.2 (AUTHOR), Zaitsev, A. A.2 (AUTHOR), Protasov, D. Yu.1,3 (AUTHOR), Kozhukhov, A. S.1 (AUTHOR), Ber, B. Ya.4 (AUTHOR), Kazantsev, D. Yu.4 (AUTHOR), Mansurov, V. G.1 (AUTHOR), Zhuravlev, K. S.1,5 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics Letters. Aug2019, Vol. 45 Issue 8, p761-764. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Chemical kinetics and thermodynamics of the AlN crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE.
Autor: Milakhin, D. S.1, Malin, T. V.1, Mansurov, V. G.1, Galitsyn, Y. G.1, Zhuravlev, K. S.1,2
Publikováno v: Journal of Thermal Analysis & Calorimetry. Aug2018, Vol. 133 Issue 2, p1099-1107. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Mg3N2 Nanocrystallites Formation During The Gan:Mg Layers Growth By The Nh3-Mbe Technique
Autor: Malin, T., V, Mansurov, V. G., Galitsyn, Yu G., Milakhin, D. S., Protasov, D. Yu, Ber, B. Ya, Kazantsev, D. Yu, Ratnikov, V. V., Shcheglov, M. P., Smirnov, A. N., Davydov, V. Yu, Zhuravlev, K. S.
The work is devoted to the study of p-GaN: Mg epitaxial layers grown by the ammonia MBE technique. We find that the conductivity of GaN layers doped with Mg does not change with a postgrowth heat treatment. Formation of Mg3N2 nanocrystallites on GaN
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r39c86a4b39b::ac52d5a8db492d60f57de3a8b6941c55
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/229982
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Determination of the AlN nucleation layer thickness formed on the Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-(0001) surface during nitridation process by XPS and IR spectroscopy
Autor: null Zhuravlev K. S., null Yakovlev V. A., null Novikova N. N., null Kozhukhov A. S., null Mansurov V. G., null Malin T. V., null Milakhin D. S.
Publikováno v: Semiconductors. 56:518
The effect of different degrees of the sapphire surface nitridation process completion on the AlN buffer layer morphology has been studied. It was found that ~85% completion of the AlN crystalline phase formation promotes the growth of a two dimensio
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d3e9aba2ec52aa06879689c0614b8f20
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54455.23
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Growth of Nitride Heteroepitaxial Transistor Structures: from Epitaxy of Buffer Layers to Surface Passivation.
Autor: Malin, T. V., Milakhin, D. S., Mansurov, V. G., Kozhukhov, A. S., Protasov, D. Yu., Loshkarev, I. D., Zhuravlev, K. S.
Publikováno v: Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Sep2020, Vol. 56 Issue 5, p485-491, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Growth of AlGaN:Si Heterostructures with Bragg Reflectors for the Blue-Green Spectral Range.
Autor: Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zhuravlev, K. S.
Publikováno v: Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Sep2019, Vol. 55 Issue 5, p501-507, 7p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje