Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Mike Seufert"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 39:571-576
The design and implementation of a resurfed high-voltage NMOS device in a low-voltage 0.8 μm BiCMOS technology is reported in this paper. Because of its full compatibility with existing technology, the high-voltage NMOS device can be fabricated with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87e9361e172f6bb21af92361cd572151
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00181-6
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00181-6
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.