Výsledky vyhledávání - "Mii, Toshiki"

Akademický článek

Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation

Autor: Mii, Toshiki, Sakane, Hitoshi, Harada, Shunta, Kato, Masashi

Publikováno v: In Materials Science in Semiconductor Processing January 2023 153

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation.

Autor: Harada, Shunta^1,2 (AUTHOR) shunta.harada@nagoya-u.jp, Mii, Toshiki³ (AUTHOR), Sakane, Hitoshi⁴ (AUTHOR), Kato, Masashi³ (AUTHOR)

Publikováno v: Scientific Reports. 8/15/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-8. 8p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.