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Dissertation/ Thesis

Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique

Autor: Hourani, Wael

La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l’oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches m

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Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique

Autor: Hourani , Wael

Publikováno v: Other. INSA de Lyon, 2011. English. ⟨NNT : 2011ISAL0109⟩
Other. INSA de Lyon, 2011. English. 〈NNT : 2011ISAL0109〉

Miniaturization of the MOS transistor structure has led to the high thinning of the gate oxide. Hence, degradation and breakdown under electrical stress became one of the important reliability concerns of thin oxide films. The use of characterization

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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841

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