Zobrazeno 1 - 10
of 3 983
pro vyhledávání: '"Microcrystalline silicon"'
Autor:
Mario Moreno, Arturo Torres-Sánchez, Pedro Rosales, Alfredo Morales, Alfonso Torres, Javier Flores, Luis Hernández, Carlos Zúñiga, Carlos Ascencio, Alba Arenas
Publikováno v:
Electronic Materials, Vol 4, Iss 3, Pp 110-123 (2023)
In this work, we report on the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) films produced from silane (SiH4), hydrogen (H2), and argon (Ar) mixtures using the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique at 200 °C. Particularly,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e3148d922be54c458e19339b66f46ecc
Publikováno v:
Applied Surface Science Advances, Vol 18, Iss , Pp 100508- (2023)
Boron doping level and boron activation in silicon thin films grown by PECVD under epitaxial (p+ epi‑Si) and microcrystalline (p+ µc-Si) conditions have been investigated as functions of the substrate material and annealing in the range of 200°C
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49d44b94dc994bca917227ac909642af
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giovanni Spagnuolo, GIOVANNI PETRONE, Mariano Sidrach-de-Cardona, Paula Sánchez-Friera, Francisco José Sánchez Pacheco, Michel Piliougine
Publikováno v:
RIUMA. Repositorio Institucional de la Universidad de Málaga
instname
instname
The degradation of two amorphous silicon-based photovoltaic (PV) modules, namely, of single junction amorphous silicon (a-Si) and of micromorph tandem (a-Si/μ-Si), after 11 years of exposure in the south of Spain is analyzed. Their I-V curves were m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::de7dfcc451b5ec8b6631a1fdae87f2b8
https://doi.org/10.1002/pip.3567
https://doi.org/10.1002/pip.3567
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mario Moreno, Arturo Ponce, Arturo Galindo, Eduardo Ortega, Alfredo Morales, Javier Flores, Roberto Ambrosio, Alfonso Torres, Luis Hernandez, Hector Vazquez-Leal, Gilles Patriarche, Pere Roca i Cabarrocas
Publikováno v:
Materials, Vol 14, Iss 22, p 6947 (2021)
Hydrogenated microcrystalline silicon (µc-Si:H) and epitaxial silicon (epi-Si) films have been produced from SiF4, H2 and Ar mixtures by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 200 °C. Here, both films were produced using identical dep
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6bd1ccdf9122499d8bf699a71bfed223
Autor:
Arenas, Mario Moreno, Arturo Torres-Sánchez, Pedro Rosales, Alfredo Morales, Alfonso Torres, Javier Flores, Luis Hernández, Carlos Zúñiga, Carlos Ascencio, Alba
Publikováno v:
Electronic Materials; Volume 4; Issue 3; Pages: 110-123
In this work, we report on the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) films produced from silane (SiH4), hydrogen (H2), and argon (Ar) mixtures using the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique at 200 °C. Particularly,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::30915f6ebd60cb0ba37d5d1dd3ffbacc