Zobrazeno 1 - 10
of 377
pro vyhledávání: '"Micro-LEDs"'
Autor:
Zeyang Meng, Chaoyu Lu, Guanghua Wang, Sibo Gao, Feng Deng, Jie Zhang, Shuxiong Gao, Wenyun Yang
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-8 (2024)
Abstract Micro-light-emitting diodes (Micro-LEDs) are a new type of display device based on the third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) material which stands out for its high luminous efficiency, elevated brightness, short response times
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d71ac25062e435fbb867c396112d670
Performance comparison of InGaN-based 40–80 μm micro-LEDs fabricated with and without plasma etching
Autor:
Yu-Yun Lo, Yi-Ho Chen, Yun-Cheng Hsu, Tzu-Yi Lee, Yu-Ying Hung, Yu-Cheng Kao, Hsiao-Wen Zan, Dong- Sing Wuu, Hao-Chung Kuo, Seiji Samukawa, Ray-Hua Horng
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 22, Iss , Pp 100485- (2024)
The fabrication of InGaN-based blue 4✕4 array micro-LEDs (μLEDs) with 40 μm ✕40 μm chip size and 2✕2 array μLEDs with 80 μm ✕80 μm chip size etching by the inductive coupled plasma reactive ion etching (ICPRIE) and defect-free neutral b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3411206bf11e465db21ce6fd9c2bab3b
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 10, p 1188 (2024)
This review describes the development history of group-III nitride light-emitting diodes (LEDs) for over 30 years, which has achieved brilliant achievements and changed people′s lifestyles. The development process of group-III nitride LEDs is the s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3438a115333d4f36a5ffabb43245186f
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 12, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract A general transfer method is presented for the heterogeneous integration of different photonic and electronic materials systems and devices into a single substrate. Called BLAST, for Bond, Lift, Align, and Slide Transfer, the process works a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/507ff14477bd491cb32454299220306d
Autor:
Yu-Ming Jao, Bo-Ming Huang, Ching Chang, Fang-Zhong Lin, Guan-Ying Lee, Chung-Ping Huang, Hao-Chung Kuo, Min-Hsiung Shih, Chien-Chung Lin
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 11, p 938 (2024)
A special micro LED whose light emitting area is laid out in a U-like shape is fabricated and integrated with colloidal quantum dots (CQDs). An inkjet-type machine directly dispenses the CQD layer to the central courtyard-like area of this U-shape mi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4460d0ba95194a298071386a3f5cd91b
Autor:
Jonathan J. D. McKendry, Enyuan Xie, Jordan Hill, Hichem Zimi, Johannes Herrnsdorf, Erdan Gu, Robert K. Henderson, Martin D. Dawson
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 15, Iss 6, Pp 1-6 (2023)
We report a Deep Ultraviolet (DUV) AlGaN micro-light emitting diode (micro-LED) array driven by a matching array of electronic drivers implemented in Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology. This 40 × 10 pixel integrated device req
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8c20b95a1fe94d2f8c0303422973c3a7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Norleakvisoth Lim, Philip Chan, Hsun–Ming Chang, Vincent Rienzi, Michael J. Gordon, Shuji Nakamura
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 4, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Red‐emitting (≈643 nm) InGaN multiquantum well active device layers and micro‐LEDs are grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) on relaxed InGaN templates, the latter created via thermal decomposition of an InGaN underlayer, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b39e4617363a41578d309c5d17371285