Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Michiari Kawano"'
Autor:
Hiroko Mori, Yoshiyuki Kotani, Tomoji Nakamura, Michiari Kawano, T. Suzuki, Ikeda Masanobu, Toshiaki Hasegawa, Takahiro Kimura, Shingo Kadomura, Kenichi Watanabe, Kiyotaka Tabuchi, Iwao Sugiura, Noriyoshi Shimizu, Ei Yano
Publikováno v:
MATERIALS TRANSACTIONS. 43:1577-1584
This paper describes a 0.13-\\micron CMOS made by using highly reliable copper and SiLKT.M. (DOW CHEMICAL) interconnection technologies. We propose a hybrid interlayer structure with SiLKT.M. at the trench level and SiO2 at the via level to improve e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::185e5eca6c47de6735277d12027b9ddf
https://doi.org/10.2320/matertrans.43.1577
https://doi.org/10.2320/matertrans.43.1577
Autor:
Ikuhiro Yamamura, Satoshi Yamaguchi, Yoshihiro Takao, Hiroshi Kudo, Naoki Nagashima, Michiari Kawano, Yoshiyuki Kotani, Satoru Asai, Nobuhisa Naori, Keizaburo Yoshie, Takashi Nagano, Masaya Uematsu, Kazuo Sukegawa, Shingo Kadomura, Junichi Mitani
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 42:15-25
This paper describes a 0.11 μm CMOS technology with high-reliable copper (Cu) and very low k (VLK) (k
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a581a0e42dbd8d548babb7f774476ce
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00233-5
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00233-5
Autor:
Masayuki Okamato, Michiari Kawano, Yoshihiro Ozaki, Toshio Nomura, Tetsuya Ito, Hiroshi Kudo, Katsunari Nishikawa, Yasuyoshi Mishima, Fukuji Kihara, Kenji Ishikawa, Yoshiyuki Suzuki, Shigeru Satou
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
We propose shallow channel-implants and asymmetric implants as a way to reduce off-state current. The former is effective in reducing sub-threshold leakage for n-type metal–oxide–semiconductor (NMOS), because of compensating for a decrease in B d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9c0663a9f4c66f36aa51e7444a3dc1f1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.b-9-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.b-9-1
A New Triple-Well Process to Accomplish a Lower Vth and a Low Cost for Low Power-Supply Voltage VLSI
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4cde5fe3e939d21912418a92766c847a
https://doi.org/10.7567/ssdm.1995.b-3-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.1995.b-3-2
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.