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Publikováno v:
2009 16th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits.
High-speed FIB silicon trenching is used to remove substrate materials around large structures on semiconductor devices. After removing the surrounding substrate material, it is possible to perform FIB cross-sectional analyses on structures that woul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63dfe9bdb225f00e94521d90b74170fe
https://doi.org/10.1109/ipfa.2009.5232689
https://doi.org/10.1109/ipfa.2009.5232689
Autor:
Michèle Mercier
Ce livre décrit l'action du CICR avant et après les bouleversements géostratégiques dont le 11 septembre 2001 fut l'une des dates cruciales. Les égards envers la Croix-Rouge ou le Croissant-Rouge ont disparu avec la multiplication, dans le monde
