Výsledky vyhledávání - "Michaillat, M."

Akademický článek

SiGe:C HBT transit time analysis based on hydrodynamic modeling using doping, composition and strained dependent SiGe:C carriers mobility and relaxation time

Autor: Ramirez-Garcia, E., Michaillat, M., Aniel, F., Zerounian, N., Enciso-Aguilar, M., Rideau, D.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2011 61(1):58-64

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Full-Band Monte Carlo investigation of hole mobilities in SiGe, SiC and SiGeC alloys

Autor: Michaillat, M., Rideau, D., Aniel, F., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: In Thin Solid Films 2010 518(9):2437-2441

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

On the validity of the effective mass approximation and the Luttinger k.p model in fully depleted SOI MOSFETs

Autor: Rideau, D., Feraille, M., Michaillat, M., Niquet, Y.M., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2009 53(4):452-461

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Monte Carlo-Based Analytical Models for Electron and Hole Electrical Parameters in Strained SiGeC Alloys.

Autor: Michaillat, M., Rideau, D., Aniel, F., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: 2009 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2009, p1-4, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Transport masses in strained silicon MOSFETs with different channel orientations.

Autor: Rideau, D., Feraille, M., Michaillat, M., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2008, p105-108, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Monte Carlo simulation of high-energy transport of electrons and holes in bulk SiGeC alloys.

Autor: Michaillat, M., Rideau, D., Aniel, F., Tavernier, C., Jaouen, H.

Publikováno v: Journal of Physics: Conference Series; 2009, Vol. 193 Issue 1, p1-1, 1p

Zobrazit plný text záznamu