Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Michael A. Van Buskirk"'
Autor:
Joong-Sik Kim, Seoung-Ju Chung, Greg Popov, Michael A. Van Buskirk, Sung-Woong Chung, Seung Hwan Lee, Sang-Min Hwang, Donghee Son, Sung-Joo Hong, Srinivasa Banna, Sungwook Park, Sang-Hoon Cho, Sunil Bhardwaj, Venkatesh P. Gopinath, Jae-Sung Roh, Jungtae Kwon, David Kim, Mayank Gupta, Tae-Su Jang
Publikováno v:
2010 Symposium on VLSI Technology.
Vertical double gate floating body (FB) Z-RAM memory cell technology fabricated on a recess gate DRAM technology is presented. Cell operating voltage of 0.5V with comparable static retention and > 1000x improvement in dynamic retention is reported. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7634da74d2509370f83651735ea79ec3
https://doi.org/10.1109/vlsit.2010.5556212
https://doi.org/10.1109/vlsit.2010.5556212
Autor:
Michael E. Van Buskirk
Publikováno v:
Journal of Glaucoma. 9:1-2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9dbeeb5a3b17c333be14930c8566bdc
https://doi.org/10.1097/00061198-200002000-00001
https://doi.org/10.1097/00061198-200002000-00001
Publikováno v:
Journal of Glaucoma. 9:110
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b6cd5b22d29cf2b22ad1c96a283f9f5
https://doi.org/10.1097/00061198-200002000-00035
https://doi.org/10.1097/00061198-200002000-00035
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.