Zobrazeno 1 - 10
of 266
pro vyhledávání: '"Miao, M. S."'
Topological insulator (TI) states have been demonstrated in materials with narrow gap and large spin-orbit interactions (SOI). Here we demonstrate that nanoscale engineering can also give rise to a TI state, even in conventional semiconductors with s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1205.2912
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jul2010, Vol. 107 Issue 12, p123713, 11p, 4 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Miao, M. S., Lambrecht, Walter R. L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/2007, Vol. 101 Issue 10, p103711, 4p, 1 Color Photograph, 3 Graphs
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 12/22/2001, Vol. 115 Issue 24, p11317, 8p, 1 Diagram, 8 Charts, 1 Graph
Autor:
Miao, M. S.
Publikováno v:
Philosophical Magazine B. 03/01/2000, Vol. 80 Issue 3, p409-419. 11p.