Zobrazeno 1 - 10
of 1 421
pro vyhledávání: '"Mi Q"'
Autor:
Zheng, H. J., Shi, W. J., Wang, C. W., Lv, Y. Y., Xia, W., Li, B. H., Wu, F., He, S. M., Huang, K., Cui, S. T., Chen, C., Yang, H. F., Liang, A. J., Wang, M. X., Sun, Z., Yao, S. H., Chen, Y. B., Guo, Y. F., Mi, Q. X., Yang, L. X., Bahramy, M. S., Liu, Z. K., Chen, Y. L.
Topological electronic structures are key to the topological classification of quantum materials and play an important role in their physical properties and applications. Recently, SnSe has attracted great research interests due to its superior therm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.07214
Publikováno v:
In Applied Thermal Engineering 1 January 2025 258 Part A
Publikováno v:
In Experimental Thermal and Fluid Science December 2024 159
Publikováno v:
In Applied Thermal Engineering 1 July 2024 248 Part A
Publikováno v:
In Applied Thermal Engineering 5 January 2024 236 Part A
Autor:
Wang, C. W., Xia, Y. Y. Y., Tian, Z., Jiang, J., Li, B. H., Cui, S. T., Yang, H. F., Liang, A. J., Zhan, X. Y., Hong, G. H., Liu, S., Chen, C., Wang, M. X., Yang, L. X., Liu, Z., Mi, Q. X., Li, G., Xue, J. M., Liu, Z. K., Chen, Y. L.
Publikováno v:
Physical Review B 96, 165118 (2017)
IV-VI semiconductor SnSe has been known as the material with record high thermoelectric performance.The multiple close-to-degenerate valence bands in the electronic band structure has been one of the key factors contributing to the high power factor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.04357
Publikováno v:
In Materials Today Chemistry December 2022 26
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Fluid Dynamics. Dec2021 Supplement 1, Vol. 56 Issue 1, pS88-S100. 13p.
Publikováno v:
Fluid Dynamics. Sep2021, Vol. 56 Issue 5, p754-763. 10p.