Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Mg memory effect"'
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 709 (2023)
We report that, for the first time, a low-temperature GaN (LT-GaN) layer prepared by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) regrowth was used as a Mg stopping layer (MSL) for a GaN trench current–aperture vertical electron transistor (CA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27ec61e838044cf6bcbb6254a92912ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.