Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"Mg memory effect"'
Autor:
Forman, C., Leonard, J., Yonkee, B., Pynn, C., Mates, T., Cohen, D., Farrell, R., Margalith, T., DenBaars, S., Speck, J., Nakamura, S.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 April 2017 464:197-200
Autor:
Ran, Junxue, Wang, Xiaoliang, Hu, Guoxin, Wang, Junxi, Li, Jianping, Wang, Cuimei, Zeng, Yiping, Li, Jinmin
Publikováno v:
In Microelectronics Journal July 2006 37(7):583-585
Autor:
Tal Margalith, Daniel Cohen, Benjamin P. Yonkee, John T. Leonard, James S. Speck, Robert M. Farrell, S. P. DenBaars, Tom Mates, Charles A. Forman, Shuji Nakamura, Christopher D. Pynn
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 464:197-200
P-down LEDs (PDLEDs) have the potential to open up new design schemes for III-nitride LEDs compared to conventional n-down LEDs (NDLEDs). For light emitters operating above 480 nm, the PDLED design enables the epitaxial advantages of semipolar (2021)
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry A; Jun2004, Vol. 108 Issue 22, p4873-4877, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Randall Creighton, George T. Wang
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry A. 108:4873-4877
Magnesocene (biscyclopentadienylmagnesium) is a common precursor used for the p-type doping of GaN and other group III nitride materials. Unfortunately, difficulties remain with predictably controlling the incorporation of Mg during metal organic che
Autor:
Yiping Zeng, Jianping Li, Xiaoliang Wang, Junxue Ran, Cuimei Wang, Guoxin Hu, Junxi Wang, Jinmin Li
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 37:583-585
AlGaN/GaN npn heterojunction bipolar transistor structures were grown by low-pressure MOCVD. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements were carried out to study the Mg memory effect and redistribution in the emitter-base junction. The resul
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 709 (2023)
We report that, for the first time, a low-temperature GaN (LT-GaN) layer prepared by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) regrowth was used as a Mg stopping layer (MSL) for a GaN trench current–aperture vertical electron transistor (CA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27ec61e838044cf6bcbb6254a92912ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Lingxia, Wu, Hualong, He, Chenguang, Zhang, Kang, Liu, Yunzhou, Wang, Qiao, He, Longfei, Zhao, Wei, Chen, Zhitao
Publikováno v:
Micromachines; Jun2024, Vol. 15 Issue 6, p778, 11p