Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"Metalorganic chemical vapour deposition"'
Publikováno v:
Вестник Киевского политехнического института. Серия приборостроение; № 65(1) (2023); 52-57
Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; No. 65(1) (2023); 52-57
Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 65(1) (2023); 52-57
Bulletin of Kyiv Polytechnic Institute. Series Instrument Making; No. 65(1) (2023); 52-57
Вісник Київського політехнічного інституту. Серія Приладобудування; № 65(1) (2023); 52-57
Some general issues common to all reactors for gas-phase epitaxy of A3B5 metal-organic compounds include large temperature gradients in the reactor, leading to the formation of convection loops, high gas flow rates that can result in turbulence inste
До загальних проблем для всіх реакторів технології газофазної епітаксії з металоорганічних сполук A3B5 відносяться великі градієнти тем
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::f81e0e322bcc5b512b8878661395f7f7
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/58586
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/58586
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Воронько, Андрій Олександрович
Об’єктом дослідження є розроблення стенду для вимірювання параметрів фотодіодів для оптоелектронної системи пірометра. Предмет робот
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::e9c157f2590ced2843c54e150c7803e7
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/49168
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/49168
Рданной ÑабоÑе бÑли иÑÑÐ»ÐµÐ´Ð¾Ð²Ð°Ð½Ñ ÑвойÑÑва ÑвеÑдого ÑаÑÑвоÑа GaInP2 Ñазной Ñ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73ed3c1ee5c588f451ed26bf51172e14
Autor:
Свєчніков, Георгій Сергійович
Роботу викладено на 77 сторінках, вона містить 3 розділи, 34 ілюстрації, 2 таблиці та 46 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є к
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::c5fce96bd82428d7df58431496985703
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35109
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35109
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 445:110-114
We report on the effects of Zn-doping using diethylzinc (DEZn) on the growth of In₁₋xGaxAsyP₁₋y quaternary layers (x=0.18–0.41 and y=0.34–0.76) by metalorganic chemical vapour deposition. Independent of the quaternary layer compositions,
Представлено методику формування гетероструктури nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії в температурному діапазоні
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::bd9f927d6a8064d488a7f99479cb0d19
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.