Zobrazeno 1 - 10
of 17 015
pro vyhledávání: '"Metal-Insulator transition"'
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 34, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract In this study, nitrogen (N) is doped into VO2 thin films through mist chemical vapor deposition (CVD), and the effect of the doping on metal–insulator transition (MIT) temperatures is investigated. The N‐doped VO2 thin films are grown on
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/04f8f1b189cc4a92822c4e4b68f02157
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nagarjuna Rao Mamidipalli, Papireddy Tiyyagura, Suryadevara Punna Rao, Suresh Babu Kothamasu, Ramyakrishna Pothu, Rajender Boddula, Noora Al-Qahtani
Publikováno v:
ChemEngineering, Vol 8, Iss 5, p 100 (2024)
The effect of sintering temperature on the structural, magnetic, and dielectric properties of NiCr2O4 ceramics was investigated. A powder X-ray analysis indicates that the prepared nanocrystallites effectively inhibit the cooperative Jahn–Teller di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2520ded189d343fe97deadbb03abc974
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
ANDRONIC, Silvia, SANDULEAC, Ionel
Publikováno v:
Journal of Engineering Science (Chişinău), Vol XXX, Iss 3, Pp 7-15 (2023)
This research paper focuses on investigating the metal-insulator transition occurring in quasi-one-dimensional organic crystals of TTT(TCNQ)2. The study utilizes a 3D approximation approach and introduces a physical model that incorporates two essent
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52e597c0a2ba4d04891cc19f3ddc98a6
Publikováno v:
Condensed Matter, Vol 9, Iss 3, p 32 (2024)
We use a combination of density functional theory (DFT) and dynamical mean field theory (DMFT) to unveil orbital field-induced electronic structure reconstruction of the atomic Sn layer deposited onto a Si(111) surface (Sn/Si(111)−3×3R30∘), also
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b74e90310d05401299946a88796dc712
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 3, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The metal–insulator transition (MIT) observed in vanadium dioxide has been a topic of great research interest for past decades, with the underlying physics yet not fully understood due to the complex electron interactions and structures in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/941ef30bc448487e8c8c9e88b893600b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.