Zobrazeno 1 - 10
of 16 962
pro vyhledávání: '"Metal-Insulator Transition"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nagarjuna Rao Mamidipalli, Papireddy Tiyyagura, Suryadevara Punna Rao, Suresh Babu Kothamasu, Ramyakrishna Pothu, Rajender Boddula, Noora Al-Qahtani
Publikováno v:
ChemEngineering, Vol 8, Iss 5, p 100 (2024)
The effect of sintering temperature on the structural, magnetic, and dielectric properties of NiCr2O4 ceramics was investigated. A powder X-ray analysis indicates that the prepared nanocrystallites effectively inhibit the cooperative Jahn–Teller di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2520ded189d343fe97deadbb03abc974
Autor:
ANDRONIC, Silvia, SANDULEAC, Ionel
Publikováno v:
Journal of Engineering Science (Chişinău), Vol XXX, Iss 3, Pp 7-15 (2023)
This research paper focuses on investigating the metal-insulator transition occurring in quasi-one-dimensional organic crystals of TTT(TCNQ)2. The study utilizes a 3D approximation approach and introduces a physical model that incorporates two essent
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52e597c0a2ba4d04891cc19f3ddc98a6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Condensed Matter, Vol 9, Iss 3, p 32 (2024)
We use a combination of density functional theory (DFT) and dynamical mean field theory (DMFT) to unveil orbital field-induced electronic structure reconstruction of the atomic Sn layer deposited onto a Si(111) surface (Sn/Si(111)−3×3R30∘), also
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b74e90310d05401299946a88796dc712
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 3, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The metal–insulator transition (MIT) observed in vanadium dioxide has been a topic of great research interest for past decades, with the underlying physics yet not fully understood due to the complex electron interactions and structures in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/941ef30bc448487e8c8c9e88b893600b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abde Mayeen Shafi, Md Gius Uddin, Xiaoqi Cui, Fida Ali, Faisal Ahmed, Mohamed Radwan, Susobhan Das, Naveed Mehmood, Zhipei Sun, Harri Lipsanen
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 29, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Molybdenum ditelluride (MoTe2) exhibits immense potential in post‐silicon electronics due to its bandgap comparable to silicon. Unlike other 2D materials, MoTe2 allows easy phase modulation and efficient carrier type control in electrical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a810684d16b4f04ad45bca00197bbe3
Autor:
Sayan Basak, Yuxin Sun, Melissa Alzate Banguero, Pavel Salev, Ivan K. Schuller, Lionel Aigouy, Erica W. Carlson, Alexandre Zimmers
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Ramp‐reversal memory has recently been discovered in several insulator‐to‐metal transition materials where a non‐volatile resistance change can be set by repeatedly driving the material partway through the transition. This study uses
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/68e445bebe01491bb0abf9383f4878b6