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Dissertation/ Thesis
Conception et réalisation de commutateurs RF à base de matériaux à transition de phase (PTM) et à changement de phase (PCM)
Autor: Mennai, Amine
Ces travaux de recherche portent sur la conception et la réalisation de commutateurs RF basées sur l’intégration de matériaux innovants fonctionnels tels que le dioxyde de vanadium (VO2) et les alliages de chalcogénures de types Ge2Sb2Te5 (GST
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2016LIMO0035/document
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Phase- transition and phase change materials integration for broadband, fast switching and agility at high frequencydomains
Autor: Mennai, Amine, Bessaudou, Annie, Cosset, Françoise, Orlianges, Jean-Christophe, Huitema, Laure, Blondy, Pierre, Crunteanu, Aurelian
Publikováno v: THE 9th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2017, BUCHAREST, ROMANIA, 11-14 JULY 2017
THE 9th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2017, BUCHAREST, ROMANIA, 11-14 JULY 2017, Jul 2017, Bucarest, Romania
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6b448cd80439d3e6627a2b7bcb8ccd1f
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01568586
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PCM, PTM and MEMS switches for future microwave and millimeter wave applications
Autor: Mennai, Amine, Hariri, Ahmad, Crunteanu, Aurelian, Blondy, Pierre
Publikováno v: 17th International Symposium on RF-MEMS and RF-MICROSYSTEMS (MEMSWAVE 2016), Bucharest, Romania, July 4th – 6th 2016
17th International Symposium on RF-MEMS and RF-MICROSYSTEMS (MEMSWAVE 2016), Bucharest, Romania, July 4th – 6th 2016, Jul 2016, Bucarest, Romania
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::fd30599bb44d6f483fca18ddb66a1a13
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343565
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Design and realization of RF switches based on phase transition (PTM ) and phase change (PC M) materials
Autor: Mennai, Amine
Publikováno v: Electronique. Université de Limoges, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LIMO0035⟩
This research work focuses on the design and realization of RF switches based on the integration of new materials such as vanadium dioxide (VO2), Ge2Sb2Te5 (GST) and GeTe chalcogenides alloys. The operating principle of these devices is based on the
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b27f7ebc1c5006c3f74d2cd79c3f4d32
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01357082
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5
Commutateurs RF à base de matériaux à transition de phase isolant- métal
Autor: Mennai, Amine, Bessaudou, Annie, Cosset, Françoise, Passerieux, Damien, Guines, Cyril, Crunteanu, Aurelian
Publikováno v: XIXèmes Journées Nationales Microondes 3-4-5 Juin 2015-Bordeaux, France
XIXèmes Journées Nationales Microondes 3-4-5 Juin 2015-Bordeaux, France, Jun 2015, Bordeaux, France
National audience; Nous présentons la fabrication et la caractérisation de commutateurs RF/microondes basés sur la transition isolant-métal (MIT) que présente le dioxyde de vanadium (VO2). Un tel commutateur ohmique présente un changement de r
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2c9e3e4b833f18019fe98e4a39fb01e6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01226182
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6
Strain and thickness dependence of the metal-insulator transition in VO2 epitaxial films
Autor: Théry, Virginie, Orlianges, Jean-Christophe, Boulle, Alexandre, Mennai, Amine, Bessaudou, Annie, Cosset, Françoise, Beaumont, Arnaud, Crunteanu, Aurelian
Publikováno v: European Material Research Society (E-MRS) Spring Meeting (Symposium M)
European Material Research Society (E-MRS) Spring Meeting (Symposium M), May 2015, Lille, France
International audience; One of the emerging fields in nano-electronics is the adaptive electronics based on resistive memories integrating functional oxides. In this context, the most promising memories and devices make use of the Mott Metal-Insulato
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e8d920da05a02c34e82b04842d158e65
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01226170
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7
Caractéristiques électriques de dispositifs MIM intégrant un film mince de dioxyde de vanadium
Autor: Mennai, Amine, Bessaudou, Annie, Cosset, Françoise, Crunteanu, Aurelian
Publikováno v: JNRDM 2014. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique
JNRDM 2014. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2014, Lille, France. 4 p
National audience; Nous présentons les caractéristiques structurales, électriques et optiques de couches minces d'un matériau présentant une transition isolant - métal à savoir le dioxyde de vanadium. Nous présentons également la fabrication
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::65b587bea3276f066c752974738dc3ad
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01021997
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8
Commutateurs planaires RF/ micro-ondes à base de matériaux à changement de phase type Ge2Sb2Te5
Autor: Crunteanu, Aurelian, Mennai, Amine, Guines, Cyril, Passerieux, Damien, Blondy, Pierre
Publikováno v: Actes de la conférence Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux (13èmes JCMM)
Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux (13èmes JCMM) 2014
Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux (13èmes JCMM) 2014, Mar 2014, Nantes, France
National audience; Nous présentons la fabrication et la caractérisation de nouveaux commutateurs RF/ micro-ondes basés sur l'intégration d'un matériau à changement de phase (MCP), à savoir le Ge2Sb2Te5 (GST). Le dispositif de type ohmique pré
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::82d71b4b294e796967a9b19e15b7f358
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00956928
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9
Out-of-Plane and Inline RF Switches based on Ge2Sb2Te5 Phase-Change Material
Autor: Crunteanu, Aurelian, Mennai, Amine, Guines, Cyril, Passerieux, Damien, Blondy, Pierre
Publikováno v: IEEE-MTT International Microwave Symposium Digest
International Microwave Symposium 2014, IEEE-MTT
International Microwave Symposium 2014, IEEE-MTT, Mar 2014, Tampa Bay, FL, United States. paper TU4A-2
International audience; We present the fabrication and characterization of novel RF switches based on Ge2Sb2Te5 (GST) phase change material. Such ohmic devices show non-volatile switching with resistivity changes up to 105 as the material is transfor
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1183bbb4aaee58400321f08b0ae01f6c
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-00956911
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10
Conference
Bistable RF switches using Ge2Sb2Te5 phase change material.
Autor: Mennai, Amine, Bessaudou, Annie, Cosset, Francoise, Guines, Cyril, Blondy, Pierre, Crunteanu, Aurelian
Publikováno v: 2015 European Microwave Conference (EuMC); 2015, p945-947, 3p
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