Zobrazeno 1 - 10
of 195
pro vyhledávání: '"Menges, Fabian"'
Autor:
Weber, Bent, Fuhrer, Michael S, Sheng, Xian-Lei, Yang, Shengyuan A, Thomale, Ronny, Shamim, Saquib, Molenkamp, Laurens W, Cobden, David, Pesin, Dmytro, Zandvliet, Harold J W, Bampoulis, Pantelis, Claessen, Ralph, Menges, Fabian R, Gooth, Johannes, Felser, Claudia, Shekhar, Chandra, Tadich, Anton, Zhao, Mengting, Edmonds, Mark T, Jia, Junxiang, Bieniek, Maciej, Väyrynen, Jukka I, Culcer, Dimitrie, Muralidharan, Bhaskaran, Nadeem, Muhammad
2D topological insulators promise novel approaches towards electronic, spintronic, and quantum device applications. This is owing to unique features of their electronic band structure, in which bulk-boundary correspondences enforces the existence of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.14209
Autor:
Gooth, Johannes, Niemann, Anna Corinna, Meng, Tobias, Grushin, Adolfo G., Landsteiner, Karl, Gotsmann, Bernd, Menges, Fabian, Schmidt, Marcus, Shekhar, Chandra, Sueß, Vicky, Huehne, Ruben, Rellinghaus, Bernd, Felser, Claudia, Yan, Binghai, Nielsch, Kornelius
Publikováno v:
Nature 547, 324 (2017)
Weyl semimetals are materials where electrons behave effectively as a kind of massless relativistic particles known asWeyl fermions. These particles occur in two flavours, or chiralities, and are subject to quantum anomalies, the breaking of a conser
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.10682
Autor:
Mosso, Nico, Drechsler, Ute, Menges, Fabian, Nirmalraj, Peter, Karg, Siegfried, Riel, Heike, Gotsmann, Bernd
Metallic atomic junctions pose the ultimate limit to the scaling of electrical contacts. They serve as model systems to probe electrical and thermal transport down to the atomic level as well as quantum effects occurring in one-dimensional systems. C
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.04699
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Menges, Fabian, Dittberner, Matthias, Novotny, Lukas, Passarello, Donata, Parkin, Stuart, Spieser, Martin, Riel, Heike, Gotsmann, Bernd
The thermal radiative near field transport between vanadium dioxide and silicon oxide at submicron distances is expected to exhibit a strong dependence on the state of vanadium dioxide which undergoes a metal-insulator transition near room temperatur
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.09050
Autor:
Backhaus, Andreas, Albrecht, Jillian, Alzhanova, Gaukhar, Long, Avery, Arnold, Wyatt, Lee, Junseok, Tse, Ho‐Yin, Su, Tina T., Cruz‐Gomez, Sebastian, Lee, Seung Soo S., Menges, Fabian, Parent, Lucas R., Ratjen, Lars, Burtness, Barbara, Fortner, John D., Zimmerman, Julie B.
Publikováno v:
Small; 6/19/2024, Vol. 20 Issue 25, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leist, Marko, Kerner, Christian, Ghoochany, Leila Taghizadeh, Farsadpour, Saeid, Fizia, Agnes, Neu, Jens P., Schön, Florian, Sun, Yu, Oelkers, Benjamin, Lang, Johannes, Menges, Fabian, Niedner-Schatteburg, Gereon, Salih, Kifah S.M., Thiel, Werner R.
Publikováno v:
In Journal of Organometallic Chemistry 15 May 2018 863:30-43
Autor:
Craig, Stephanie M., Menges, Fabian S., Duong, Chinh H., Denton, Joanna K., Madison, Lindsey R., McCoy, Anne B., Johnson, Mark A.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2017 Jun . 114(24), E4706-E4713.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26484228