Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization

Autor: Mena Gómez, Josué

Publikováno v: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
Universitat Rovira i virgili (URV)
TDR. Tesis Doctorales en Red
instname

El nitrur de gal·li (GaN) és un semiconductor amb una banda prohibida ampla amb aplicacions importants en els LED de la llum blanca, que són una alternativa atractiva a les fonts de llum convencionals a causa de la seva llarga vida útil, robustes

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ce487b22dd93f77233fe4aa1621eb139
http://hdl.handle.net/10803/457707