Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Men, Chuan Ling"'
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 19:1718-1720
Aluminium nitride (AlN), with much higher thermal conductivity, is considered to be an excellent alternative to the SiO2 layer in traditional silicon-on-insulator (SOI) materials. The silicon-on-aluminium-nitride (SOAN) structure was fabricated by th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::72f1f096e032ad9977f3e4955574ea27
https://doi.org/10.1088/0256-307x/19/11/344
https://doi.org/10.1088/0256-307x/19/11/344
Autor:
Lin Cheng-Lu, An Zheng-Hua, Men Chuan-Ling, Zhang Miao, LI Kai-Cheng, Shen Qin-Wo, Lin Zi-xin
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 19:413-415
For SiGe-on-insulator fabrication, a 100 nm SiGe film with uniform germanium composition was grown on a Si(100) substrate using a molecular beam epitaxy system without a graded SiGe buffer layer. The samples were implanted by oxygen ions at an energy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7d107be18274ee0d89be2031dbdcf21a
https://doi.org/10.1088/0256-307x/19/3/338
https://doi.org/10.1088/0256-307x/19/3/338
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 64:077302
SiO2-based solid state electrolyte films are deposited at room temperature by using the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. An electric-double-layer (EDL) effect has been observed. Then, indium-zinc-oxide thin-film transistor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97f84485df3780adbfb3035246ad73c5
https://doi.org/10.7498/aps.64.077302
https://doi.org/10.7498/aps.64.077302
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 62:117305
A new kind of indium-tin-oxide thin-film transistors made of P-doped SiO2 dielectrics in an in-plane-gate structure is fabricated at room temperature. Indium-tin-oxide (ITO) channel and ITO electrodes (gate, source, and drain) can be deposited simult
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74acce08ab7a9227c46b47e6ca6a9546
https://doi.org/10.7498/aps.62.117305
https://doi.org/10.7498/aps.62.117305
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.