Zobrazeno 1 - 10
of 883
pro vyhledávání: '"Memory window"'
Autor:
Chinsung Park, Prasanna Venkat Ravindran, Dipjyoti Das, Priyankka Gundlapudi Ravikumar, Chengyang Zhang, Nashrah Afroze, Lance Fernandes, Yu Hsin Kuo, Jae Hur, Hang Chen, Mengkun Tian, Winston Chern, Shimeng Yu, Asif Islam Khan
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 569-572 (2024)
The use of the plasma-enhanced atomic layer deposition (ALD) technique for the deposition of HfO2-based ferroelectrics has received attention in recent years primarily due to wake-up free operation. However, these studies have primarily focused on me
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/188aa60d17dd4513b46a5ab830571c14
Autor:
So-Won Kim, Jae-Hoon Yoo, Won-Ji Park, Chan-Hee Lee, Joung-Ho Lee, Jong-Hwan Kim, Sae-Hoon Uhm, Hee-Chul Lee
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 20, p 1686 (2024)
We aimed to fabricate reliable memory devices using HfO2, which is gaining attention as a charge-trapping layer material for next-generation NAND flash memory. To this end, a new atomic layer deposition process using sequential remote plasma (RP) and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a009560ee3c94ae9b861118dcb7fa76d
Autor:
Neha Paras, Shiromani Balmukund Rahi, Abhishek Kumar Upadhyay, Manisha Bharti, Young Suh Song
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 7, Iss , Pp 100101- (2024)
Recent experimental studies have shown lanthanum-doped hafnium oxide (La:HfO2) possessing ferroelectric properties. This material is of special interest since it is based on lead-free, simple binary oxide of HfO2, and has excellent endurance property
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d3c407afd1d435da6cf61bd93bc2777
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 14, Iss 15, p 6689 (2024)
This study investigates the impact of oxide/nitride (ON) pitch scaling on the memory performance of 3D NAND flash memory. We aim to enhance 3D NAND flash memory by systematically reducing the spacer length (Ls) and gate length (Lg) to achieve improve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13e62709663e41c18cca4f6f2d2f112a
Autor:
Masud Rana Sk, Shubham Pande, Franz Müller, Yannick Raffel, Maximilian Lederer, Luca Pirro, Sven Beyer, Konrad Seidel, Thomas Kämpfe, Sourav De, Bhaswar Chakrabarti
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 4, Iss , Pp 100050- (2023)
In this article, the impact of interfacial fixed charges on the memory window (MW) of HfO2-based ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is investigated using technology computer-aided design (TCAD) device simulations. We have considered the pr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/112c0944306b4ae0be67582807282193
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
You-Sheng Liu, Pin Su
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 346-350 (2022)
This paper investigates scaled ferroelectric field-effect transistor (FeFET) nonvolatile memories (NVMs) with high-k spacer device design considering ferroelectric-dielectric random phase variations with TCAD atomistic simulations. Our study indicate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/48612216b3584a358b238cdcd21794ad