Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"Memory chip"'
Publikováno v:
EAI Endorsed Transactions on Energy Web, Vol 11 (2024)
Single event upsets (SEUs), which are caused by radiation particles, have emerged as a significant concern in aircraft applications. Soft mistakes, which manifest as corruption of data in memory chips and circuit faults, are mostly produced by SEUs.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e9d14d65a624888894792843c180d78
Autor:
Andrey G. Petrov, Ivan I. Shvetsov-Shilovskiy, Sergey B. Shmakov, Anastasia V. Ulanova, Anna B. Boruzdina
Publikováno v:
Безопасность информационных технологий, Vol 29, Iss 2, Pp 100-111 (2022)
The aim of the study is to consider the prospects of using resistive memory microcircuits (RRAM, CBRAM) for space applications. Total dose and single event effects in resistive memory test cells and finished CMOS RRAM microcircuits were investigated.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fd8fbafe5cf54f69b67c6260e0801268
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Coatings; Volume 12; Issue 12; Pages: 1976
Three-dimensional-stacked packaging technology is widely used in memory chip packaging, which can greatly increase the utilization ratio of the packaging area. However, problems with the reliability of 3D-stacked packaging are also becoming more and
Autor:
Bin Chen, Hongxiang Jiang, Xiaojun Sun, Ma Haobo, Lili Zhang, Jie He, MingWei Zhu, Jiuzhou Zhao
Publikováno v:
Science China Technological Sciences. 63:2275-2282
Recycling of waste electrical and electronic equipment has become an urgent global issue in recent years from the prospectives of resources recycling and environmental protection. In the present work, the recycling of waste memory modules (WMMs) thro
Autor:
Alessio Spessot, H. Oh
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:1382-1393
This article reviews the status, the challenges, and the perspective of 1T-1C dynamic random access memory (DRAM) chip. The basic principles of the DRAM are presented, introducing the key functional aspects and the structure of modern devices. We pre
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ralph Siebert
Publikováno v:
Review of Industrial Organization. 55:431-458
The U.S. and EU merger guidelines emphasize “ease of entry” arguments but little is known about the dynamic impact of realized mergers on market structure. This study provides insights on this topic with the use of detailed firm-level data on the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.