Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"Memory arrays"'
Autor:
Athira Sunil, Masud Rana SK, Maximilian Lederer, Yannick Raffel, Franz Müller, Ricardo Olivo, Raik Hoffmann, Konrad Seidel, Thomas Kämpfe, Bhaswar Chakrabarti, Sourav De
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 6, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Hafnium oxide (HfO2)‐based ferroelectric field effect transistors (FeFETs) revolutionize the emerging nonvolatile memory area, especially with the potential to replace flash memories for several applications. In this article, the suitability of FeF
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/edb110c653ea447bb3947d3bae22a1cb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tomasz Brozek, Dennis Ciplickas
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1248-1257 (2019)
Emerging non-volatile memories are becoming increasingly attractive for embedded and storage-class applications. Among the development challenges of Back-End integrated memory cells are long learning cycles and high wafer cost. We propose a short-flo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ceb13829926e40c885a463aa3f26b928
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 6, Iss 24, Pp n/a-n/a (2019)
Abstract The technologies of 3D vertical architecture have made a major breakthrough in establishing high‐density memory structures. Combined with an array structure, a 3D high‐density vertical resistive random access memory (VRRAM) cross‐point
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/508c8ce42e464893b49034d372a4076b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics
Volume 10
Issue 22
Electronics, Vol 10, Iss 2784, p 2784 (2021)
Volume 10
Issue 22
Electronics, Vol 10, Iss 2784, p 2784 (2021)
In this work, we investigate the implementation of a neuromorphic digit classifier based on NOR Flash memory arrays as artificial synaptic arrays and exploiting a pulse-width modulation (PWM) scheme. Its performance is compared in presence of various
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::027b4a0e0f77faabbf7b5b5dc7694645
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giorgos Dimitrakopoulos, Ron Gabor, Dimitris Konstantinou, Ramon Canal, Arkady Bramnik, Yiannakis Sazeides, Chrysostomos Nicopoulos
Publikováno v:
DFT
UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
This work proposes in-situ Real-Time Error Detection (RTD): embedding hardware in a memory array for detecting a fault in the array when it occurs, rather than when it is read. RTD breaks the serialization between data access and error detection and,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f4bbfa19f60b7ed483a7ad7a625c5012
https://doi.org/10.1109/dft50435.2020.9250878
https://doi.org/10.1109/dft50435.2020.9250878
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.