Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Memaran, S."'
Autor:
Shcherbakov, D., Stepanov, P., Memaran, S., Wang, Y., Xin, Y., Yang, J., Wei, K., Baumbach, R., Zheng, W., Watanabe, K., Taniguchi, T., Bockrath, M., Smirnov, D., Siegrist, T., Windl, W., Balicas, L., Lau, C. N.
Spin-orbit coupling (SOC) is a relativistic effect, where an electron moving in an electric field experiences an effective magnetic field in its rest frame. In crystals without inversion symmetry, it lifts the spin degeneracy and leads to many magnet
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.00937
Autor:
Zhang, Q. R., Zeng, B., Chiu, Y. C., Schoenemann, R., Memaran, S., Zheng, W., Rhodes, D., Chen, K. -W., Besara, T., Sankar, R., Chou, F., McCandless, G. T., Chan, J. Y., Alidoust, N., Xu, S. -Y., Belopolski, I., Hasan, M. Z., Balakirev, F. F., Balicas, L.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 100, 115138 (2019)
We evaluate the topological character of TaAs through a detailed study of the angular, magnetic-field and temperature dependence of its magnetoresistivity and Hall-effect(s), and of its bulk electronic structure through quantum oscillatory phenomena.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.00920
Autor:
Chen, K. -W., Das, S., Rhodes, D., Memaran, S., Besara, T., Siegrist, T., Manousakis, E., Balicas, L., Baumbach, R. E.
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter, Volume 28, Number 14(2016)
Results are reported for single crystal specimens of Hf$_2$Te$_2$P and compared to its structural analogue Zr$_2$Te$_2$P, which was recently proposed to be a potential reservoir for Dirac physics.[1] Both materials are produced using the iodine vapor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.03252
Autor:
Pradhan, N. R., Rhodes, D., Memaran, S., Poumirol, J. M., Smirnov, D., Talapatra, S., Feng, S., Perea-Lopez, N., Elias, A. L., Terrones, M., Ajayan, P. M., Balicas, L.
Publikováno v:
Sci. Rep. 5, 8979 (2015)
Here, we present a temperature ($T$) dependent comparison between field-effect and Hall mobilities in field-effect transistors based on few-layered WSe$_2$ exfoliated onto SiO$_2$. Without dielectric engineering and beyond a $T$-dependent threshold g
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1502.00335
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.