Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"Melnik V.P."'
Autor:
Derkachev P.V., Melnik V.P.
Publikováno v:
Psihologo-Pedagogičeskie Issledovaniâ, Vol 10, Iss 2, Pp 43-54 (2018)
The aim of the research is to show the reason of necessity in discovering the motivating potential of employees and also influence on them through the introduction of the effective contract. The research has studied the attitude of the temporary peda
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/38e168652b974d15ae3ebacbd86643d1
Autor:
Strelchuk, V.V., Kolomys, O.F., Maziar, D.M., Melnik, V.P., Romanyuk, B.M., Gudymenko, O.Y., Dubikovskyi, O.V., Liubchenko, O.I.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing May 2024 174
Autor:
Dzhagan, V.M. ∗, Valakh, M. Ya, Isaieva, O.F., Yukhymchuk, V.O., Stadnik, O.A., Gudymenko, O. Yo, Lytvyn, P.M., Kulbachynskyi, O.A., Yefanov, V.S., Romanyuk, B.M., Melnik, V.P.
Publikováno v:
In Optical Materials February 2024 148
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B December 2006 253(1-2):27-30
Autor:
Yaremko, A.M., Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Novikov, A.V., Melnik, V.P., Lytvyn, O.S., Lobanov, D.N., Krasil'nik, Z.F., Klad'ko, V.P., Dzhagan, V.M.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering C 2005 25(5):565-569
Characteristics of silicon p–n junction formed by ion implantation with in situ ultrasound treatment
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2005 124:327-330
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Artamonov, V.V., Valakh, M.Ya., Klyui, N.I. *, Melnik, V.P., Romanyuk, A.B., Romanyuk, B.N., Yuhimchuk, V.A.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1999 147(1):256-260
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Oberemok, O.S., Gamov, D.V., Litovchenko, V.G., Romanyuk, B.M., Melnik, V.P., Klad’ko, V.P., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo.
The transport of dissolved oxygen in the Czochralski silicon towards the arsenic-doped ultra-shallow junction was investigated. Ultra-shallow junction was formed by low-energy As+ ion implantation with the subsequent furnace annealing at 750 C-950 C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::0d90990a73e9ad1324792040b2930f8c
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35276
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35276
