Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Melnichuk, L. Yu."'
Autor:
Korsunska, N. O., Polishchuk, Yu. O., Markevich, I. V., Kozoriz, K. O., Ponomaryov, S. S., Melnichuk, O. V., Stara, T. R., Melnichuk, L. Yu., Khomenkova, L. Yu.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2024, Vol. 27 Issue 1, p70-78, 9p
Autor:
Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, E. F., Venger, I. V.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 65 No. 2 (2020); 162
Український фізичний журнал; Том 65 № 2 (2020); 162
Український фізичний журнал; Том 65 № 2 (2020); 162
Для тонких плiвок MgxZn1−xO, нанесених на оптично-анiзотропних пiдкладках 6H-SiC, вперше було змодельовано спектри зовнiшнього iнфрачервоного в
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 5 (2019); 434
Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 434
Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 434
Optical and electrophysical properties of terbium-doped zinc oxide films have been studied, by using the external reflection IR spectroscopy. The films were deposited onto silicon oxide substrates with the help of the magnetron sputtering method. A t
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 12 (2016); 1053
Український фізичний журнал; Том 61 № 12 (2016); 1053
Український фізичний журнал; Том 61 № 12 (2016); 1053
Using the IR reflection method and the modified method of disturbed total internal reflection (DTIR), thin undoped conducting ZnO films grown with the use of the atomic layer deposition method have been studied theoretically and experimentally for th
Autor:
Markevich, I. V., Borkovska, L. V., Venger, Ye. F., Korsunska, N. O., Kushnirenko, V. I., Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Khomenkova, L. Yu.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 13 No. 1 (2018): Reviews; 57
Український фізичний журнал; Том 13 № 1 (2018): Огляди; 57
Український фізичний журнал; Том 13 № 1 (2018): Огляди; 57
Огляд присвячено результатам, отриманим при дослiдженнi електричних, фотоелектричних, оптичних i люмiнесцентних характеристик нелегова
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2015, Vol. 18 Issue 4, p422-427. 6p.
Autor:
Melnichuk, O. V., Korsunska, N. O., Markevich, I. V., Boyko, V. V., Polishchuk, Yu. O., Tsybrii, Z. F., Melnichuk, L. Yu., Venger, Ye. F., Kladko, V. P., Khomenkova, L. Yu.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2021, Vol. 24 Issue 4, p390-398, 9p
Autor:
Korsunska, N. O., Markevich, I. V., Stara, T. R., Borkovska, L. V., Lavoric, S., Melnichuk, L. Yu., Melnichuk, O. V.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 7 (2018); 660
Український фізичний журнал; Том 63 № 7 (2018); 660
Український фізичний журнал; Том 63 № 7 (2018); 660
Дослiджено керамiку ZnO, нелеговану та леговану марганцем. Концентрацiя марганцю змiнювалась вiд 1019 дo 1021 см−3. Вимiрювались спектри фотолюм
Autor:
Venger, E. F., Venger, I. V., Korsunska, N. O., Melnichuk, L. Yu., Melnichuk, O. V., Khomenkova, L. Yu.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2018, Vol. 21 Issue 4, p417-423, 7p
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2010, Vol. 13 Issue 3, p314-320, 7p