Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Melnichenko, Ivan"'
Autor:
Ivanov, Konstantin A., Nadtochiy, Alexey M., Kryzhanovskaya, Natalia V., Mintairov, Sergey A., Kalyuzhnyy, Nikolay A., Melnichenko, Ivan A., Maximov, Mikhail V., Zhukov, Alexey E.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence March 2023 255
Autor:
Pidgayko, Dmitry, Melnichenko, Ivan, Shkoldin, Vitaliy, Logunov, Lev, Kryzhanovskaya, Natalia, Samusev, Anton, Bogdanov, Andrey
Publikováno v:
In Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications December 2022 52
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fominykh, Nikita, Zubov, Fedor, Ivanov, Konstantin, Moiseev, Eduard, Nadtochiy, Alexey, Mintairov, Sergey, Kalyuzhnyy, Nikolay, Melnichenko, Ivan, Pirogov, Vladimir, Scherbak, Sergey, Urmanov, Boris, Nahorny, Aliaksei, Kryzhanovskaya, Natalia, Zhukov, Alexey
In the present work, we study the possibility of the emission output of a semiconductor microring laser through a radially coupled optical waveguide. Room temperature lasing has been achieved in continuous wave regime with the wavelength of ~1090 nm.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::741103ba2d0fa92b0823d63a2d218a4c
Autor:
Melnichenko, Ivan, Nadtochiy, Alexey, Ivanov, Konstantin, Makhov, Ivan, Maksimov, Michail, Mintairov, Sergey, Kalyuzhnyy, Nikolay, Kryzhanovskaya, Natalia, Zhukov, Alexey
For the first time we show time-resolved photoluminescence dependencies with 0.2 ps resolution for the novel type of InGaAs/GaAs quantum-sized heterostructures, referred to as quantum well-dots (QWDs). Photoluminescence upconversion method, that allo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e3a6391422890e455e3c9dcbe67d24a
Autor:
Rochas, Stanislav, Blokhin, Sergei, Babichev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Blokhin, Aleksey, Bobrov, Mikhail, Maleev, Nikolai, Andryushkin, Vladislav, Bougrov, Vladislav, Gladyshev, Andrey, Melnichenko, Ivan, Voropaev, Kirill, Zhumaeva, Irina, Ustinov, Victor, Li, Hiu, Tian, Si-Cong, Han, Saiyi, Sapunov, Georgiy, Egorov, Anton, Bimberg, Dieter
High-speed vertical-cavity surface-emitting lasers of 1550 nm spectral range based on ten compressively strained In(Al)GaAs QWs were fabricated by molecular-beam epitaxy and direct double wafer-fusion technique. The devices demonstrate threshold curr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be96d41687b5f38a46d8b8fe6b945b8f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kryzhanovskaya, Natalia V., Moiseev, Eduard I., Nadtochiy, Alexey M., Melnichenko, Ivan A., Fominykh, Nikita A., Ivanov, Konstantin A., Komarov, Sergey D., Makhov, Ivan S., Lutsenko, Evgenii V., Vainilovich, Aliaksei G., Nahorny, Aliaksei V., Zhukov, Alexey E.
Publikováno v:
IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics; 2025, Vol. 31 Issue: 2 p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitax
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::baab4ac5e321f5a1ef8b708ab642bae9