Zobrazeno 1 - 10
of 207
pro vyhledávání: '"Meli, V."'
Autor:
Bourgeois, G., Meli, V., Al Mamun, F., Mazen, F., Nolot, E., Martinez, E., Barnes, J.-P., Bernier, N., Jannaud, A., Laulagnet, F., Hemard, B., Castellani, N., Bernard, M., Sabbione, C., Milesi, F., Magis, T., Socquet-Clerc, C., Coig, M., Garrione, J., Cyrille, M.-C., Charpin, C., Navarro, G., Andrieu, F.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2021 126
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bourgeois, G., Meli, V., Antonelli, R., Socquet-Clerc, C., Magis, T., Laulagnet, F., Hemard, B., Bernard, M., Fellouh, L., Dezest, P., Krawczyk, J., Dominguez, S., Baudin, F., Garrione, J., Pellissier, C., Dallery, J.-A., Castellani, N., Cyrille, M.-C., Charpin, C., Andrieu, F., Navarro, G.
Publikováno v:
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing, IEEE, Mar 2023, SEOUL, South Korea. ⟨10.1109/EDTM55494.2023.10102961⟩
IEEE EDTM 2023-7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing, IEEE, Mar 2023, SEOUL, South Korea. ⟨10.1109/EDTM55494.2023.10102961⟩
International audience; In this work, we demonstrate the integration feasibility of Crossbar arrays based on Ovonic-Threshold Switching (OTS) selector and "Wall"-based Phase-Change Memory, realized with a "Double-Patterned Self-Aligned" (DPSA) struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::436c262ec3bf28612b19a203a413dadd
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102961
https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102961
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
de Camaret, C., Bourgeois, G., Cueto, O., Meli, V., Martin, S., Despois, D., Beugin, V., Castellani, N., Cyrille, M.C., Andrieu, F., Arcamone, J., Le-Friec, Y., Navarro, Gabriele
Publikováno v:
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Sep 2022, Milan, Italy. pp.233-236, ⟨10.1109/ESSDERC55479.2022.9947190⟩
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Sep 2022, Milan, Italy. pp.233-236, ⟨10.1109/ESSDERC55479.2022.9947190⟩
ESSDERC 2022-IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
International audience; In this work, we present the extensive electrical characterization of 4kb Phase-Change Memory (PCM) arrays based on "Wall" structure and Ge-rich GeSbTe (GST) material, integrating a SiC dielectric with low thermal conductivity
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::58674e111858b84341434cc99a94364f
https://cea.hal.science/cea-03927940/document
https://cea.hal.science/cea-03927940/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Molas, G., Piccolboni, G., Bricalli, A., Verdy, A., Naot, I., Cohen, Y., Regev, A., Naveh, I., Deleruyelle, D., Rafhay, Q., Castellani, N., Reganaz, L., Persico, A., Segaud, R., Nodin, J., Meli, V., Martin, S., Andrieu, F., Grenouillet, L.
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2022, Dresden, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779293⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2022, Dresden, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779293⟩
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9592fae9b199094aab679e5379ee189a
https://hal.science/hal-03840618
https://hal.science/hal-03840618
Autor:
Lopez, J. Minguet, Rummens, F., Reganaz, L., Heraud, A., Hirtzlin, T., Grenouillet, L., Navarro, G., Bernard, M., Carabasse, C., Castellani, N., Meli, V., Martin, S., Magis, T., Vianello, E., Sabbione, C., Deleruyelle, D., Bocquet, M., Portal, J. M., Molas, G., Andrieu, F.
Publikováno v:
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop, May 2022, Dresden, Germany. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779253⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop, May 2022, Dresden, Germany. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779253⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
International audience; We experimentally validated the sub-threshold reading strategy in OxRAM+OTS crossbar arrays for low precision inference in Binarized Neural Networks. In order to optimize the 1S1R sub-threshold current margin, an experimental
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::236c263ed3c5a7f751695823256c7c11
https://cea.hal.science/cea-03707392
https://cea.hal.science/cea-03707392