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Comparative study of semiconductor technologies based on Si, SiC and GaN for their use in traction inverters in electric vehicles

Autor: Melgar Beltrán, Tomás

Publikováno v: RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
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[ES] En este trabajo se examina el estado de las tecnologías de transistores de potencia fabricados a partir de silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), desde el punto de vista de su aplicación en inversores de tracción par

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::607fd291d6b209347eff9528cab89bdc
http://hdl.handle.net/10251/184200

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