Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Mei Fuhong"'
Autor:
Yun, Zhengkuan, Jin, Xudong, Zhai, Guangmei, Miao, Yanqin, Jia, Zhigang, Mei, Fuhong, Jia, Wei, Yu, Chunyan, Wang, Hua, Xu, Bingshe
Publikováno v:
In Organic Electronics September 2022 108
Autor:
Shang, Lin, Zhai, Guangmei, Jia, Zhigang, Mei, Fuhong, Lu, Taiping, Liu, Xuguang, Xu, Bingshe
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 March 2016 485:1-5
Autor:
Yin Jiaqi, Yu Chunyan, Dong Hailiang, Li Tianbao, Jia Wei, Mei Fuhong, Zhai Guangmei, Zhang Zhuxia
Publikováno v:
Philosophical Magazine. 102:1247-1260
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lulu Zheng, Bingshe Xu, Guangmei Zhai, Yong Zhang, Xuemin Li, Hua Zhang, Yongzhen Yang, Wenhui Gao, Mei Fuhong, Caifeng Zhang, Zhimeng Shao, Xuguang Liu
Publikováno v:
RSC Advances. 8:23019-23026
The instability of perovskite films is a major issue for perovskite solar cells based on ZnO electron transport layers (ETLs). Here, ZnO nanoparticle (NP)- and ZnO sol–gel layers capped with low-temperature processed TiO2, namely ZnO/TiO2 bilayered
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guangmei Zhai, Mei Fuhong, Yongzhen Yang, Bingshe Xu, Jianbing Zhang, Xuguang Liu, Zhimeng Shao, Ji-Tao Zhang, Caifeng Zhang, Wenhui Gao
Publikováno v:
Journal of Materials Chemistry A. 5:4190-4198
The two-step sequential deposition method is widely used in the preparation of high-performance mesoscopic perovskite solar cells. However, when the conventional sequential deposition method is applied to fabricate bilayered mesostructured and planar
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 485:1-5
An obvious increase in electron mobility and yellow luminescence (YL) band intensity was found in light Si doping GaN. For a series of GaN samples with different doping concentration, the dislocation density is almost the same. It is inferred that th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.