Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"McSkimming, Brian"'
Publikováno v:
Education Sciences; Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p145, 16p
Autor:
Jackson, Christine M., Arehart, Aaron R., Cinkilic, Emre, McSkimming, Brian, Speck, James S., Ringel, Steven A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; May2013, Vol. 113 Issue 20, p204505, 6p, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
McSkimming, Brian Matthew
Publikováno v:
McSkimming, Brian Matthew. (2015). High Active Nitrogen Flux Growth of (Indium) Gallium Nitride by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy. 0035: Materials. Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/51f7s5xc
Plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) growth of gallium nitride (GaN) has evolved over the past two decades due to progress in growth science and in the active nitrogen plasma source hardware. The transition from electron cyclotron resonance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::9aa5c228d94d3eb94ab7dfd48836a401
http://www.escholarship.org/uc/item/51f7s5xc
http://www.escholarship.org/uc/item/51f7s5xc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander, Ashish, McSkimming, Brian M., Arey, Bruce, Arslan, Ilke, Richardson, Christopher J.K.
Publikováno v:
Journal of Materials Research; 11/14/2017, Vol. 32 Issue 21, p4067-4075, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jackson, Christine M., Arehart, Aaron R., Grassman, Tyler J., McSkimming, Brian, Speck, James S., Ringel, Steven A.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2017, Vol. 6 Issue 8, pP489-P494, 6p