Zobrazeno 1 - 10
of 190
pro vyhledávání: '"McGill, E."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Public Health; Sep2023, Vol. 45 Issue 3, pe467-e477, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
O'Donnell, Shane, Jose, Feljin, Shiel, Kyle, Snelgrove, Matthew, McFeely, Caitlin, McGill, E., O'Connor, Robert
Publikováno v:
O'Donnell, Shane, Jose, Feljin, Shiel, Kyle, Snelgrove, Matthew ORCID: 0000-0003-0344-1146 , McFeely, Caitlin ORCID: 0000-0002-0447-8250 , McGill, E. and O'Connor, Robert ORCID: 0000-0001-5794-6188 (2021) Thermal and plasma enhanced atomic layer deposition of ultrathin TiO2 on silicon from amide and alkoxide precursors: growth chemistry and photoelectrochemical performance. Journal of Physics D: Applied Physics, 55 (8). ISSN 0022-3727
Due to its low cost and suitable band gap, silicon has been studied as a photoanode material for some time. However, as a result of poor stability during the oxygen evolution reaction (OER), Si still remains unsuitable for any extended use. Ultra-thi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______119::b7c7c2943292d1d08843f260d25f3618
http://doras.dcu.ie/27893/
http://doras.dcu.ie/27893/
