Zobrazeno 1 - 10
of 248
pro vyhledávání: '"McCloskey, P. J."'
The microscopic electric environment surrounding a spin defect in a wide-bandgap semiconductor plays a determining role in the spin coherence and charge stability of a given qubit and has an equally important role in defining the electrical propertie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.19309
Impact of surface treatments on the electron affinity of nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond
Autor:
Chambers, Andre, McCloskey, Daniel J., Dontschuk, Nikolai, Hashem, Hassan N. Al, Murdoch, Billy J., Stacey, Alastair, Prawer, Steven, Ahnood, Arman
Publikováno v:
Applied Surface Science (2024): 159710
In recent years, various forms of nanocrystalline diamond (NCD) have emerged as an attractive group of diamond/graphite mixed-phase materials for a range of applications from electron emission sources to electrodes for neural interfacing. To tailor t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.15521
Autor:
McCloskey, Daniel J., Roberts, Daniel, Rodgers, Lila V. H., Barsukov, Yuri, Kaganovich, Igor D., Simpson, David A., de Leon, Nathalie P., Stacey, Alastair, Dontschuk, Nikolai
Chemical functionalization of diamond surfaces by hydrogen is an important method for controlling the charge state of near-surface fluorescent color centers, an essential process in fabricating devices such as diamond field-effect transistors and che
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.12249
Autor:
Wood, A. A., McCloskey, D. J., Dontschuk, N., Lozovoi, A., Goldblatt, R. M., Delord, T., Broadway, D. A., Tetienne, J. -P., Johnson, B. C., Mitchell, K. T., Lew, C. T. -K., Meriles, C. A., Martin, A. M.
Characterising charge transport in a material is central to the understanding of its electrical properties, and can usually only be inferred from bulk measurements of derived quantities such as current flow. Establishing connections between host mate
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.07091
Autor:
Leedahl, B., McCloskey, D. J., Boukhvalov, D. W., Zhidkov, I. S., Kukharenko, A. I., Kurmaev, E. Z., Cholakh, S. O., Gavrilov, N. V., Brinzari, V. I., Moewes, A.
Publikováno v:
Phys. Chem. Chem. Phys., 2019,21, 11992-11998
Directly measuring elementary electronic excitations in dopant $3d$ metals is essential to understanding how they function as part of their host material. Through calculated crystal field splittings of the $3d$ electron band it is shown how transitio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.02623
Autor:
McCloskey, D. J., Dontschuk, N., Broadway, D. A., Nadarajah, A., Stacey, A., Tetienne, J. -P., Hollenberg, L. C. L., Prawer, S., Simpson, D. A.
Quantum sensors based on optically active defects in diamond such as the nitrogen vacancy (NV) centre represent a promising platform for nanoscale sensing and imaging of magnetic, electric, temperature and strain fields. Enhancing the optical interfa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.02464
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Broadway, D. A., Johnson, B. C., Barson, M. S. J., Lillie, S. E., Dontschuk, N., McCloskey, D. J., Tsai, A., Teraji, T., Simpson, D. A., Stacey, A., McCallum, J. C., Bradby, J. E., Doherty, M. W., Hollenberg, L. C. L., Tetienne, J. -P.
Publikováno v:
Nano Lett. 19, 4543-4550 (2019)
The precise measurement of mechanical stress at the nanoscale is of fundamental and technological importance. In principle, all six independent variables of the stress tensor, which describe the direction and magnitude of compression/tension and shea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.01152
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.