Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"McCandless, J. P."'
Autor:
McCandless, J. P., Gorsak, C. A., Protasenko, V., Schlom, D. G., Thompson, Michael O., Xing, H. G., Jena, D., Nair, H. P.
Here we report that the source of Si impurities commonly observed on (010) $\beta-Ga_2O_3$ is from exposure of the surface to air. Moreover, we find that a 15 minute HF (49%) treatment reduces the Si density by approximately 1 order of magnitude on (
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.06851
Autor:
McCandless, J. P., Rowe, D., Pieczulewski, N., Protasenko, V., Alonso-Orts, M., Williams, M. S., Eickhoff, M., Xing, H. G., Muller, D. A., Jena, D., Vogt, P.
We report the growth of $\alpha-Ga_2O_3$ on $m$-plane $Al_2O_3$ by conventional plasma-assisted molecular-beam epitaxy (MBE) and In-mediated metal-oxide-catalyzed epitaxy (MOCATAXY). We report a growth-rate-diagram for $\alpha-Ga_2O_3$ (10-10), and o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.13053
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
McCandless, J. P., Protasenko, V., Morell, B. W., Steinbrunner, E., Neal, A. T., Tanen, N., Cho, Y., Asel, T. J., Mou, S., Vogt, P., Xing, H. G., Jena, D.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/15/2022, Vol. 121 Issue 7, p1-6, 6p
Autor:
McCandless, J. P., Chang, C. S., Nomoto, K., Casamento, J., Protasenko, V., Vogt, P., Rowe, D., Gann, K., Ho, S. T., Li, W., Jinno, R., Cho, Y., Green, A. J., Chabak, K. D., Schlom, D. G., Thompson, M. O., Muller, D. A., Xing, H. G., Jena, D.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/28/2021, Vol. 119 Issue 6, p1-7, 7p
Autor:
McCandless, J. P., Rowe, D., Pieczulewski, N., Protasenko, V., Alonso-Orts, M., Williams, M. S., Eickhoff, M., Xing, H. G., Muller, D. A., Jena, D., Vogt, P.
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; June 2023, Vol. 62 Issue: Supplement 6 pSF1013-SF1013, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.