Zobrazeno 1 - 10
of 328
pro vyhledávání: '"Mazzarello, Riccardo"'
Autor:
Wang, Xu-Dong, Zhou, Wen, Zhang, Hangming, Ahmed, Shehzad, Huang, Tiankuo, Mazzarello, Riccardo, Ma, En, Zhang, Wei
Publikováno v:
npj Computational Materials 9, 136 (2023)
Chalcogenide phase-change materials (PCMs) are widely applied in electronic and photonic applications, such as non-volatile memory and neuro-inspired computing. Doped Sb$_2$Te alloys are now gaining increasing attention for on-chip photonic applicati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.03146
Autor:
Wang, Xiaozhe, Sun, Suyang, Wang, Jiang-Jing, Li, Shuang, Zhou, Jian, Aktas, Oktay, Xu, Ming, Deringer, Volker L., Mazzarello, Riccardo, Ma, En, Zhang, Wei
The layered crystal structure of Cr2Ge2Te6 shows ferromagnetic ordering at the two-dimensional limit, which holds promise for spintronic applications. However, external voltage pulses can trigger amorphization of the material in nanoscale electronic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.02974
Autor:
Jiang, Ting-Ting, Wang, Xu-Dong, Wang, Jiang-Jing, Zhang, Han-Yi, Lu, Lu, Jia, Chunlin, Wuttig, Matthias, Mazzarello, Riccardo, Zhang, Wei, Ma, En
Tailoring the degree of structural disorder in Ge-Sb-Te alloys is important for the development of non-volatile phase-change memory and neuro-inspired computing. Upon crystallization from the amorphous phase, these alloys form a cubic rocksalt-like s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.09310
Autor:
Jiang, Ting-Ting, Wang, Xu-Dong, Wang, Jiang-Jing, Zhang, Han-Yi, Lu, Lu, Jia, Chunlin, Wuttig, Matthias, Mazzarello, Riccardo, Zhang, Wei, Ma, En
Publikováno v:
In Fundamental Research September 2024 4(5):1235-1242
Chalcogenide phase-change materials (PCMs) show a significant contrast in optical reflectivity and electrical resistivity upon crystallization from the amorphous phase and are leading candidates for non-volatile photonic and electronic applications.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.00789
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salinga, Martin, Kersting, Benedikt, Ronneberger, Ider, Jonnalagadda, Vara Prasad, Vu, Xuan Thang, Gallo, Manuel Le, Giannopoulos, Iason, Cojocaru-Mirédin, Oana, Mazzarello, Riccardo, Sebastian, Abu
Publikováno v:
Nature Materials, volume 17, pages 681-685 (2018)
Phase change memory has been developed into a mature technology capable of storing information in a fast and non-volatile way, with potential for neuromorphic computing applications. However, its future impact in electronics depends crucially on how
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.00254
Autor:
Ting-Ting Jiang, Xu-Dong Wang, Jiang-Jing Wang, Han-Yi Zhang, Lu Lu, Chunlin Jia, Wuttig, Matthias, Mazzarello, Riccardo, Wei Zhang, En Ma
Publikováno v:
Fundamental Research; Sep2024, Vol. 4 Issue 5, p1235-1242, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.