Zobrazeno 1 - 10
of 458
pro vyhledávání: '"Mazur Yu"'
Autor:
Laurindo Jr., V., Castro, E. D. Guarin, Jacobsen, G. M., de Oliveira, E. R. C., Domenegueti, J. F. M., Alén, B., Mazur, Yu. I., Salamo, G. J., Marques, G. E., Marega Jr., E., Teodoro, M. D., Lopez-Richard, V.
This paper discusses the combined effects of optical excitation power, interface roughness, lattice temperature, and applied magnetic fields on the spin-coherence of excitonic states in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. For low optical powers, at l
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.02129
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Laurindo Jr., V., Mazur, Yu. I., de Oliveira, E. R. Cardozo, Alén, B., Ware, M. E., Marega Jr., E., Zhuchenko, Z. Ya., Tarasov, G. G., Marques, G. E., Teodoro, M. D., Salamo, G. J.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 100, 035309 (2019)
A magnetophotoluminescence study of the carrier transfer with hybrid InAs/GaAs quantum dot(QD)-InGaAs quantum well (QW) structures is carried out where we observe an unsual dependence of the photoluminescence (PL) on the GaAs barrier thickness at str
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.05812
Autor:
Teodoro, M. D., Campo Jr., V. L., Lopez-Richard, V., Marega Jr., E., Marques, G. E., Galvao-Gobato, Y., Iikawa, F., Brasil, M. J. S. P., AbuWaar, Z. Y., Dorogan, V. G., Mazur, Yu. I., Benamara, M., Salamo, G. J.
We report a comprehensive discussion of quantum interference effects due to the finite structure of excitons in quantum rings and their first experimental corroboration observed in the optical recombinations. Anomalous features that appear in the exp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0288
Autor:
Suleymanov, G. S., Sheydai, T. A., Abdullayeva, N. N., Fokina-Mezentseva, K. V., Bratus, H. A., Mazur, Yu. V.
Publikováno v:
Scientific Bulletin of National Mining University; 2023, Issue 4, p118-123, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scientific Bulletin of National Mining University; 2022, Issue 3, p141-145, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 2, Iss 12, Pp 609-613 (2007)
AbstractInAs/GaAs heterostructures have been simultaneously grown by molecular beam epitaxy on GaAs (100), GaAs (100) with a 2° misorientation angle towards [01−1], and GaAs (n11)B (n = 9, 7, 5) substrates. While the substrate misorientation angle
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2176d05e40284ee29e0ef559d103c082