Zobrazeno 1 - 10 of 12 pro vyhledávání: '"Mazur, R. G."'
2
Conference
Threshold voltage (VT) control of sub-0.25 μm processes using mercury gate MOS capacitors.
Autor: Hillard, R. J., Mazur, R. G., Sherbondy, J. C., Peitersen, L., Wilson, M., Herlocher, R.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; Nov1998, Vol. 449 Issue 1, p240-244, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Characterization of ultrashallow dopant profiles using spreading resistance profiling.
Autor: Tan, L. S., Tan, L. C. P., Leong, M. S., Mazur, R. G., Ye, C. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2002, Vol. 20 Issue 1, p483-487, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
High-resolution damage depth profiles of unannealed sub-100 nm B+ implants in (100) silicon.
Autor: Hartford, C. L., Hillard, R. J., Mazur, R. G., Foad, M. A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 1, p316-319, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Evaluation of diamond-ground beveled surfaces with Hg gate capacitance-voltage and current-voltage.
Autor: Hillard, R. J., Sherbondy, J. C., Hartford, C. L., Weinzierl, S. R., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 1, p411-414, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Accurate profiling of ultra-shallow implants with mercury gate metal-oxide-semiconductor capacitance-voltage.
Autor: Dudal, Roger Le, Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p336-341, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Detection of anomalous defect-enhanced diffusion using advanced spreading resistance measurements and analysis.
Autor: Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G., Osburn, C. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p322-326, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Profiling of silicide-silicon structures using a combination of the spreading resistance and point contact current-voltage methods.
Autor: Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p317-321, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Poisson-based analysis of spreading resistance profiles.
Autor: Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 1, p397-407, 11p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Profiling of ultra-shallow complementary metal-oxide semiconductor junctions using spreading resistance: A comparison to secondary ion mass spectrometry.
Autor: Osburn, C. M., Berkowitz, H. L., Heddleson, J. M., Hillard, R. J., Mazur, R. G., Rai-Choudhury, P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 1, p533-539, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje