Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Autor: Mazuelas Esteban, Ángel

Publikováno v: E-Prints Complutense. Archivo Institucional de la UCM
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E-Prints Complutense: Archivo Institucional de la UCM
Universidad Complutense de Madrid

Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de

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http://eprints.ucm.es/1895/

High-resolution electron microscopy and X-ray diffraction characterization of alternately strained (GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m superlattices grown by Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy

Autor: Ballesteros, Carmen, Gerthsen, D., Mazuelas Esteban, Ángel José, Ruiz, A., Briones Fernández-Pola, Fernando

Publikováno v: Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
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Alternately-strained-layer of (GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m, superlattices with n = 10, 90 and m = 2 monolayers, have been characterized by X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy. The heterostructures were grown by atomic

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::86052e2eab13471601bdf1bdc450d966
http://hdl.handle.net/10261/52251

Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAs

Autor: González Sotos, Luisa, Ruiz, A., Mazuelas Esteban, Ángel José, Armelles Reig, Gaspar, Recio Segoviano, Miguel, Briones Fernández-Pola, Fernando

Publikováno v: Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
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5 páginas, 5 figuras, 1 tabla.-- Comunicación presentada a la 4ª Conference on Superlattices and Microstructures celebrada en Trieste (Italia/1988).
A recent development of Molecular Beam Epitaxy (MBE) — the Atomic Layer Molecular Beam Epit

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http://hdl.handle.net/10261/33871