Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Mazlumian, Rozana"'
Autor:
Zhang, Youcheng, Pecorario, Stefano, Chua, Xian Wei, Ren, Xinglong, Zhao, Cong, Mazlumian, Rozana, Senanayak, Satyaprasad P., Dey, Krishanu, Stranks, Sam, Sirringhaus, Henning
Recent reports highlight the potential of tin-based perovskite semiconductors for high-performance p-type field-effect transistors (FETs) with mobilities exceeding 20 cm2V-1s-1. However, these high mobilities--often obtained via two-probe (2P) method
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2412.06591
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.