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Autor:
Rosa Angeles Vázquez-García, Iván Alonso Lira-Hernández, José Luis González-Vidal, Max García-Rivera, María Aurora Veloz-Rodríguez, Juan José Raygoza-Panduro
Publikováno v:
Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI. 9:99-105
El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes de electrónica, computación y áreas afines, un panorama de la construcción y funcionamiento de los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET), los cuales son dispositivos extrem