Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Mawby, Phil"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Renz, Arne Benjamin, Vavasour, Oliver James, Pérez-Tomás, Amador, Cao, Qin Ze, Shah, Vishal, Bonyadi, Yeganeh, Pathirana, Vasantha, Trajkovic, Tanya, Baker, G. W.C., Mawby, Phil, Gammon, Peter
A systematic study is presented into the impact of a P2O5 surface passivation treatment, carried out prior to the deposition of a high refactory metal contact to 3.3 kV JBS diodes. Electrical results from Mo, W and Nb diodes reveal that those diodes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5bad371ed10260abeddfb72fe7d4b034
http://wrap.warwick.ac.uk/166204/1/WRAP-engineering-Schottky-interface-3.3-kV-SiC-JBS-diodes-using-P2O5-surface-passivation-treatment-2022.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/166204/1/WRAP-engineering-Schottky-interface-3.3-kV-SiC-JBS-diodes-using-P2O5-surface-passivation-treatment-2022.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Fan, Roccaforte, Fabrizio, Greco, Giuseppe, Fiorenza, Patrick, Via, Francesco La, Pérez-Tomas, Amador, Evans, Jonathan E., Fisher, Craig A., Monaghan, Finn Alec, Mawby, Phil, Jennings, Mike
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Wide bandgap (WBG) semiconductors are becoming more widely accepted for use in power electronics due to their superior electrical energy efficiencies and improved power densities. Although WBG cubic silicon carbide (3C-SiC) displays a modest bandgap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=RECOLECTA___::9c2f36de742d0a4b124b1d0f03a6c79a
http://hdl.handle.net/10261/265754
http://hdl.handle.net/10261/265754
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Renz, Arne Benjamin, Shah, Vishal Ajit, Vavasour, Oliver James, Baker, Guy William Clarke, Bonyadi, Yegi, Sharma, Yogesh, Pathirana, Vasantha, Trajkovic, Tanya, Mawby, Phil, Antoniou, Marina, Gammon, Peter Michael
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Jan2022, Vol. 69 Issue 1, p298-303, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.