Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Matyushenko, E. V."'
Autor:
null Tereshchenko O. E., null Suprun S. P., null Paschin N. S., null Sidorov G. Yu., null Neizvestny I. G., null Matyushenko E. V., null Gorshkon D. V., null Golyashov V. A., null Klimov A. E.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:182
Results on the creation and properties of transistor-type MIS structures (MIST) with an Al2O3 thin-film gate dielectric based on PbSnTe : In films obtained by molecular beam epitaxy are presented. The source-drain current-voltage characteristics (CVC
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3c9f95971ff9c3623faea7887af76ec
https://doi.org/10.21883/sc.2022.02.53273.30
https://doi.org/10.21883/sc.2022.02.53273.30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.